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[微信訂閱] 取代FinFET:三星計劃首發3nm GAA工藝芯片、性能約提高30%

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發表于 2020-1-2 21:14:10 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式



北京時間1月2日晚間消息,據韓國媒體報道,三星電子事實上的領導人李在镕(Lee Jae-yong)今日討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰略計劃。
該報道稱,李在镕今日參觀了三星電子位于京畿道華城(Hwaseong)的半導體研發中心。這也是李在镕在2020年的首個官方行程,期間,他聽取三星電子3納米制程技術報告,并與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。
據三星電子稱,李在镕討論了三星計劃采用正在研發中的最新3納米全柵極(GAA)工藝技術來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版,能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。
去年4月,三星電子完成了基于極端紫外線技術(EUV)的5納米FinFET工藝技術的研發。如今,該公司正在研究下一代納米工藝技術(即3納米GAA)。三星電子表示,與5納米制造工藝相比,3納米GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。
對于李在镕此次參觀半導體研發中心,三星發言人稱:“李在镕今日訪問半導體研發中心,再次凸顯三星承諾成長為“非內存芯片”市場頂級制造商的決心!碑斍,三星已是全球最大的內存芯片制造商。
去年,三星宣布了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃,目標是到2030年成為全球最大的“系統級芯片”( SoC)制造商。




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